TT8M2
Electrical characteristics (Ta=25 ° C)
< Characteristics for the Tr2( Pch ).>
Data Sheet
Parameter
Gate-source leakage
Symbol
I GSS
Min.
?
Typ.
?
Max.
± 10
Unit
μ A
Conditions
V GS =± 10V, V DS = 0V
Drain-source breakdown voltage V (BR) DSS
? 20
?
?
V
I D = ? 1mA, V GS = 0V
Zero gate voltage drain current
Gate threshold voltage
Static drain-source on-state
resistance
I DSS
V GS (th)
R DS (on) ?
?
? 0.3
?
?
?
?
?
?
49
68
100
140
? 1
? 1.0
68
95
150
280
μ A
V
m ?
m ?
m ?
m ?
V DS = ? 20V, V GS = 0V
V DS = ? 10V, I D = ? 1mA
I D = ? 2.5A, V GS = ? 4.5V
I D = ? 1.2A, V GS = ? 2.5V
I D = ? 1.2A, V GS = ? 1.8V
I D = ? 0.5A, V GS = ? 1.5V
Forward transfer admittance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Y fs
C iss
C oss
C rss
t d (on)
t r
t d (off)
t f
?
?
?
?
?
2.5
?
?
?
?
?
?
?
?
1270
100
90
9
30
120
85
?
?
?
?
?
?
?
?
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V DS = ? 10V, I D = ? 2.5A
V DS = ? 10V
V GS = 0V
f = 1MHz
V DD ? 10V
I D = ? 1.2A
V GS = ? 4.5V
R L 8.3 ?
R G = 10 ?
Total gate charge
Q g
?
?
12
?
nC
V DD
? 10V, I D = ? 2.5A
Gate-source charge
Q gs
?
?
2.5
?
nC
V GS = ? 4.5V
Gate-drain charge
Q gd
?
?
2.0
?
nC
R L
4 ? , R G = 10 ?
? Pulsed
Body diode characteristics (Source-drain) (Ta=25 ° C)
Parameter
Forward voltage
Symbol
V SD ?
Min.
?
Typ.
?
Max.
? 1.2
Unit
V
Conditions
I S = ? 2.5A, V GS =0V
? Pulsed
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2009.06 - Rev.A
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